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安世中国 1,200V FS8 出手：IGBT 凭什么压过市面第七代？

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功率半导体高端战场，IGBT 是绕不开的硬骨头。安世中国把答案押在 1,200V FS8 IGBT 系列上——场截止型第八代技术，性能优于市面第七代。

安世中国 1,200V FS8 出手：IGBT 凭什么压过市面第七代？

FS8 的底气来自 12 英寸晶圆平台。同一片晶圆能切出更多裸片，安世中国全球首家实现 12 英寸 Bipolar 量产，也是中国大陆功率半导体 IDM 首次打通 12 英寸量产；高压高功率 IGBT 模组随后跟进，迈入 12 英寸量产。这一层技术领先，是 FS8 敢叫板第七代的根本。

成本上，安世中国把账算得很清楚。12 英寸单片有效芯片产出相对 5 寸提升约 5.7 倍、相对 6 寸约 4 倍、相对 8 寸约 2.2–2.4 倍；单颗芯片成本相比 5 寸下降约 70%、6 寸约 60%、8 寸下降 50%。省下的钱来自三个环节：规模效应摊薄单位成本；良率提升，全自动化让人为操作减少 90% 以上，首条量产线连续 30 天良率稳定在 92.7% 以上；供应链本土化，国产晶圆直供，消除跨境运费与关税，供应链成本再降 15%–20%。

国产闭环也在加速。MOSFET、逻辑 IC 已实现中国区供应链闭环，双极晶体管年内完成全链条闭环，国产化率从不足 20% 提升至近 100%。

再往前看，SiC/GaN 宽禁带联合研发已启动，18 大工艺平台 2026 年底完成部署与工艺固化、2027 上半年规模化量产，常态化每月 20 款以上设计产出。FS8 只是开篇，高压与未来的牌才刚刚摊开。

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